本仪器可对各种类型锗，硅PNP及NPN型三极管的瞬态热阻参数进行快速测量。
选取被测管发射极正向压降Vbe作为温度热敏参数，利用特定条件下Vbe的温度系数M曲线之聚交特性，实现了不同恒温槽系统的M参数单点快书测试：测量对被测管施加1ms~1s的单次功率脉冲前后Vbe的变化，即可得到被测管的瞬态热阻参数。

本仪器的M及Vbe的变化数值均由识字电压表自动显示。 当给被测管施加1os~5000s的单次功率脉冲并同时测量其壳温时，本仪器亦可用于测量各类晶体三极管的稳态热阻参数。
本仪器的配套电源为本厂生产的WD-9型晶体管稳压电源。

技术规格：
（1）测试功率：0~750W(100V, 5A或300V, 2.5A)
（2）Vce电压：0~300V连续可调 分两挡：1~100V(5A)0~300V(2.5A)误差<正负3%
（3）Ie电流0~5A连续可调 分六挡：0~100mA, 0~200mA, 0~500mA, 0~1A, 0~2A, 0~5A。误差<正负3%
（4）M数字电压表：0~-4.00（mV/C）
（5）Vce数字电压表：0~999（mV）
（6）功率脉冲脉宽1ms~1000s 分七档：1ms, 10ms, 100ms（瞬态热阻测量） 1s, 10s,
100s, 1000s（稳态热阻测量）
（7）测试时间 a.瞬态热阻测试：<3s b.稳态热阻测试:10s~5000s